La littérature propose plusieurs types d'approches pour la modélisation de dispositifs GaN HEMT. Parmi ces dernières, les modèles basés sur les équations physiques (Physics-based) sont des plus attrayants car ils reposent sur les propriétés géométriques et de matériaux des composants ainsi que sur des équations physiques. Ils requièrent d'avoir accès à la structure du transistor et peuvent être chronophage. Dans ce papier, la modélisation en DC, impulsionnelle et paramètres S d'un transistor HEMT GaN en utilisant le modèle ASM-HEMT (Advanced Spice model) sera abordée. Les simulations présentées sont réalisées avec un jeu unique de paramètres et comparées avec des mesures issues d'un transistor HEMT GaN 6x50 μm avec une longueur de grille de 0.15μm de la fonderie UMS.